新凯莱“没有”光刻机，你应该失望吗？

10月15日，2025湾区半导体产业生态博览会（湾芯展）在深圳会展中心举行。估计很多人都会失败。当天展会上，新凯来展台展示了光学检测BFI产品岳麓山、物理及X射线测量设备XPS赤霞山-XP、刻蚀产品武夷山、扩散产品Epi峨眉山、RTP三清山、薄膜产品PVD普图因汉、ALD阿里山、子公司CVD上白山万里研等。 新凯来的光刻机也有独立展位，展示了下一代数字网络测试产品、高频高速芯片测试产品等，产品很多，但最值得期待的国产光刻机却没有。不过，这并不奇怪。很多人和新手投资者被营销号误导，不了解兴凯来的业务范围。诚然，新凯来是做半导体设备的，但这里还有一个负责光刻机的人，那就是相对不为人知的宇良胜（上海宇良胜科技有限公司）。新开来和创科威各持股一半，分别对应上海国资和深圳国资。 9月，有媒体报道称，该公司生产的28纳米光刻机进入中芯国际生产线进行测试验证，用于生产7纳米芯片。但此后并未有更多权威信息发布。这种不准确的消息在谣言的传播过程中变得越来越夸张。看来“捉住荷兰人超可爱”这句话是不公平的。甚至有自媒体表示，“有了duv光刻机之后会怎样？全球95%以上的芯片都可以国产，剩下的5%只要再等一两年，国产euv光刻机就没有问题了。”最后被炒作的是上海微电子。今年8月，“28nm光刻机量产”、“EUV技术突破”、“全球市占率85%”等数据被自媒体反复炒作。还有消息称上海微电子通过借壳合并上市，但最终没有发生。一批投资者参与了相关炒作。 概念并陷入困境。营销号提到的所谓上海微电子28nm光刻机，一般认为是SSA800。 很多人都不知道差距有多大。他们从军工的角度看半导体行业，认为“装备一代、研发一代、预研一代”是表面上最差的。这种思路是不合逻辑的。军工行业之所以能够保守秘密，是因为整个工业链ain有保密的需求，以实现内部和外部的隔离。然而，先进工艺的半导体设备在市场上处于运行状态。要求整个产业链保密是很困难的。总有线索。最后，也是最重要的一点，市场上还没有国产的尖端芯片产品。在制造工艺方面，我们已经实现了很大比例的国产化，但唯一的区别就在于制造工艺的先进程度。台积电计划在2025年第四季度开始量产2nm芯片。假设28nm光刻机量产，7nm芯片量产，那么最先进工艺落后多少代？有自媒体称只剩下一代了，因为DUV已经实现了，下一步就是EUV。从光刻机设备来看，勉强成立，但从光刻机设备来看，从芯片制造工艺来看，至少还差4代。稍微担心手机芯片的人，大家就明白了，7nm之后，手机芯片的制造工艺不再减少一半，从28nm到14nm，14nm到7nm，而是从7nm到5nm，5nm到4nm，4nm到3nm，现在台积电正在尝试闯入2nm量产。我身边有一位同事对制造工艺的差距漠不关心，我就问他用的是什么手机。我看了一下芯片，发现是4nm的。这是前年发布的车型，所以我感觉到制造工艺上的差距。当然，从某种意义上来说，这些工艺并不对应于芯片的物理尺寸，而只是半导体制造商识别代次产品技术的一种方式，很大程度上反映了制造工艺的发展。 （强调一下，新pro的性能管道相比上一代产品有所改进）更不用说，从实验室到批量生产工厂还有一个需要数年时间的验证过程。因此，只要对行业有一定了解，很难说“再等一两年，国产EUV光刻机就不成问题”。乐观地讲，中国半导体产业需要5-10年的时间才能赶上国际最先进水平。另外，需要改写的是，我们目前的抢角路线并非没有缺点。以目前所谓的7nm芯片的28nm DUV实现为例。其背后是DUV（深紫外光刻机）+多重曝光。目前，包括新凯莱在内的国内半导体厂商正在探索DUV（深紫外光刻机）+多重曝光，以突破工艺限制。这条技术路径已经产生了很多成果，但缺点也很明显：DUV+SAQP制作的先进制程芯片良率普遍低于EUV制作的先进制程芯片，算力也不足。同时，EUV制造芯片的先进工艺背后，能效和散热也很重要。所以，目前的DUV+SAQP只能是替代、替代、追赶计划，谈不上篡夺。 光刻机的光源能在弯道上超越别人吗？除了制造工艺上的探索，也有媒体炒作国内在光刻机光源方面的发展。年初有小文章称，国产EUV采用LDP技术，并在东莞进行测试，试产时间为2025年Q3，量产时间为2026年。并附有一张EUV物镜干涉仪照片，该照片是在东莞生产的。完全错误的。虽然后来的事情出乎意料，但涉及到了光刻机技术光源路线的争议。目前，EUV光刻机主要有两条技术路线：LPP和DPP。这两种途径之间的重要区别在于如何电离目标罐。 DPP利用电极之间的高压放电，并利用洛伦兹力压缩中性原子使其带电。从技术上讲，这称为收缩效应。 LPP 使用激光轰击它并使其电离。经过多年的技术探索，LPP解决方案胜出。主要原因是LPP方案具有更高的光源质量和更长的设计寿命。因此，目前以ASML为代表的光刻机厂商普遍采用了LPP方案。那么什么是LDP技术呢？有报道说是LPP和DPP的结合，这确实不准确，因为LDP只是用激光来预热TA提前获取目标材料，最后依靠放电电极隔离目标材料。所以严格来说，本案LDPA方是DPP的升级版。 LDP相对于DPP的优势部分体现在设计寿命上。 DPP方案存在过载和电极腐蚀的问题，而LDP则大大缓解了这一问题。但即便如此，在可预见的技术范围内，LDP方案挑战LPP方案的难度仍然很大。 结语国内半导体行业的“追光之路”从来都不是依靠营销话语就能加速的冲刺，而是一场需要直面差距、一步一个脚印的马拉松。从Baychip展会上的凯莱新设备矩阵，到鱼流胜28nm光刻机的未公开消息，探索国内DUV+多重曝光路线 厂家，我们在工艺上确实取得了很大的进步设备和先进的替代工艺。但我们也需要明确：“捕捉荷兰之美”不是一天就能完成的事情。营销口号中“一两年突破EUV”、“芯片95%国产化”的幻想，不仅无视半导体行业的技术规律，而且容易误导公众，催生投资泡沫。国内半导体产业的发展需要少一点浮躁的炒作，多一点务实的研发，少一点短期的狂欢，多一点长远。免责声明（上下滑动查看全部）本文中出现的任何信息（包括但不限于个股、评论、预测、图表、指标、理论、任何形式的表达等）仅供参考，投资者应对任何独立确定的投资行为负责。另外，本文中的任何观点、分析和预测不构成任何形式的投资仅供读者参考，对于因使用本文内容而造成的任何直接或间接损失，我们不承担任何责任。投资涉及风险，过去的表现并不代表未来的表现。财经早餐力求文章所载内容和观点客观公正，但不保证准确性、完整性、及时性等，本文仅代表作者本人观点。 特别声明：本文由网易自媒体平台“网易号”作者上传发布，仅代表作者观点。网易仅提供信息发布平台。 注：以上内容（包括图片和视频，如有）由网易HAO用户上传发布，网易HAO为社交媒体平台，仅提供信息存储服务。