用GAAS底物很好地提高INAS体积的迁移率

德国研究人员报告说，分子束外延（MBE）中使用的策略改善了砷化韧带底物中砷氧化物量子孔（QW）的迁移率，尤其是在低于120K的低温下[A. [A. A. Aleksandrova等，App。物理。 Lett。，V126，P232109，2025]。来自柏林洪堡大学的团队，Kurz GmbH和Paul-Drude-InstitutFürfestkörperelectRonic，评论说：“随着引入平滑表面，GAAS基质已替换为INP substrates，并变得更便宜，变得更便宜且更有效地替代了替代的替代。半导体 - 责任界面可能不是屏障，因为当母亲收集大量的烟草以产生计算机体积时，电子在母亲身上积累，通过刻板图确定异质结构中的狭窄通道比使用外延生长的纳米线更实用。Mayornaa零模式是指准粒子结构的理论，该理论是一种零能量的零电荷准粒子，旋转1/2。在超导系统中，这些Majorana零模式可能是电子和孔的组合。该团队还表明，通过使用INAS QW的晶体管结构Toimproves Electron在高频通信系统中，他们的技术可以从传统的电子系统中受益。与磷化二磷化磷化物（INP）或抗抗氧化； GASB（GASB）底物相反，这种平滑解决了GAA中INAS QW结构中发生的客厅 - harder的问题。 INAS和GAA之间的不匹配为6.7％，而INP和GASB之间的不匹配分别为3.1％和-0.6％。底物和QW之间缓冲液材料层的效果之一是在材料表面上显示跨帽模式。图1：INAS QW在Eninas疾病中的MBE增长的进步。红色部分SH在生长步骤0.25至0.75作为平滑表面层之前的生长步骤之前。 GAAS中的MBE从一系列的缓冲层开始（图1）。这包括短期短疗法，以在高温下生长，以及在低温下以50 nm步骤排列的梯度成分的皇后层的缺点。缓冲液中的最终含量为0.84。然后将包括INAS QW在内的最后一层的生长温度升高到480°C。在50 nm处不断将一层分级为0.75 eninas含量。缓冲液中的凹入含量过冲的旨在防止进一步的脱位。该团队与INAS QW一起种植，没有主导措施。 INAS QW和Queen的物质障碍之间插入6.5nm Gainas。研究人员评论说：“此条目很重要，因为将含有铝分子的铝的放置吸附。至0.25至0.75作为一层。吸附的和鼠的扩散。 （TEM）在（HAADF）模式下表明，在缓冲层中有效地获得了螺纹位错，并且渗透到QW区域中。由于声子扩散的影响大大降低了（图2），因此表面 - 木质在低温下（低于120k）的迁移率特别有效（120k）。研究人员指出，先前的工作表明，气体基材上的移动性能与更昂贵的INP相当。图2：通过引入光滑层改善电子迁移率。 。红色和蓝色圆圈分别对应于带有和没有光滑层的QW。 （ga，in）中的δ掺杂的距离为14nm至（a）和（b）中的20nm。绿色箭头表明通过粉碎表面实现的迁移率增加。 （c）将流动性的厚度放在光滑层的厚度上。一个令人惊讶的方面即使在平滑表面之后，与放松相关的跨帽模式基板和异质结构上层之间的应变仍然明亮。研究人员评论说：“应该强调的是，平滑表面不会随着跨性速度改变形态，因为与之相关的高度调节比通过中断增长的表面传递相比，越来越轻。该步骤发生在距离的距离明显小于平均载体自由路径，从而产生了传播的机会，从而对流动性产生负面影响。引入了平滑层。因此，差异的界面受到限制，提高了迁移率，至少他们试图在INP底物上使用平滑技术，但是QW的研究人员尚未显示出对INP的重大兴趣。评论说：“因此，与我们的MBE系统的活动能力相比，INP底物中从Hathe表面传播的界面并不忽略。另一个潜在的变化是使用ACE而不是ACE中的GAAS，但它再次失败了，但实际上，它的表面变得更粗糙，而流动性并没有改善。具体而言，阿拉更喜欢发展岛屿，这可能是由于装饰原子的扩散有限。生长破坏促进了岛屿的规模，而不是促进现有露台的楼梯流。